半导体存放装置
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种半导体存放装置。所述半导体存放装置包括：导电容置腔，用于存放半导体器件，且用于收集环境中能够干扰所述半导体器件的电荷；导出结构，与所述导电容置腔连接，用于将所述导电容置腔体上收集的电荷导出。
基本信息
专利标题 ：
半导体存放装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921105016.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN210349794U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
王凡周毅邓常敏
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李洋
优先权 ：
CN201921105016.3
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H05F3/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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