一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构
授权
摘要
本实用新型提供一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构，包括导流筒，还包括支撑件、支撑件连接杆和导流筒连接件，其中，支撑件连接杆与导流筒连接件连接，导流筒连接件与导流筒连接，支撑件连接杆可伸缩，便于导引导流筒上下移动；支撑件与支撑件连接杆连接，支撑件与上保温筒接触配合，以便于支撑件对支撑件连接杆的上下移动的行程进行限定。本实用新型的有益效果是结构简单，制作方便，且便于维修，适用于大尺寸单晶炉台导流筒结构及投料方法，作用是增加炉台最大投料量，减少复投次数节省复投时间，提升有效工时利用率，提升产量。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921224410.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210636094U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
张文霞高润飞郭志荣张石晶韩凯武志军霍志强郭谦宋瑞强景吉祥赵志远
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921224410.9
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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