存储器器件
授权
摘要
本公开的实施例涉及存储器器件。一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。
基本信息
专利标题 ：
存储器器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921271607.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN211404528U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
P·G·卡佩莱蒂G·纳瓦罗
申请人 ：
法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201921271607.8
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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