一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置，包括工艺腔和底板；工艺腔：工艺腔的底面两侧设有环形滑轨，环形滑轨上滑动连接有反应室；底板：底板的表面两侧均设有支座，两个支座上设有升降单元，升降单元包括支座、第一电机、丝杠、滑块、支杆、固定板和高频感应加热器，支座内设有滑槽，滑槽侧面开有通槽，滑槽底部设有第一电机，第一电机的输出轴上设有丝杠，滑块的侧面开有螺纹孔，且滑块通过螺纹孔与丝杠螺纹连接，滑块的侧面与滑槽的内侧面和通槽的侧面滑动连接，本改善化学气相沉积加热均匀度的装置采用立体全方位加热，使晶片受热更加充分和均匀，可以有效改善加热均匀度。
基本信息
专利标题 ：
一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921394023.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-26
授权号 ：
CN210394517U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
顾泉
申请人 ：
江苏旭宇腾半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市海门市海门镇富江南路698号内9号房
代理机构 ：
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 ：
吴建龙
优先权 ：
CN201921394023.X
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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