一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置
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摘要
本实用新型涉及一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置，包括基座、六自由度平台、反应隔离腔、搅拌器和刻蚀液容器；所述六自由度平台设置在所述基座的底部，所述反应隔离腔设置在所述基座的顶部；所述刻蚀液容器设置在所述反应隔离腔内，所述搅拌器从所述反应隔离腔的顶部伸入到所述刻蚀液容器内；所述刻蚀液容器的底部开口，所述刻蚀液容器的底部开口处固定待加工样品；所述六自由度平台搭载光源，所述基座和反应隔离腔的底部均设有光路通孔，所述反应隔离腔的光路通孔内设有光学滤镜。六自由度平可驱动照射光源实现周期性摆动和转动，以均匀的干涉条纹在待加工样品背面补偿照射，从而引导待加工样品刻蚀形成几何尺寸高度可控的微纳结构。
基本信息
专利标题 ：
一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921397063.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-26
授权号 ：
CN210073789U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
施达创陈云姚瑶陈新高健刘强贺云波汪正平赵铌
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市大学城外环西路100号
代理机构 ：
佛山市禾才知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱培祺
优先权 ：
CN201921397063.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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