一种电子碳化硅芯片的生产设备
授权
摘要

本实用新型公开了一种电子碳化硅芯片的生产设备,解决现有技术中制作碳化硅的外延层方式在外延炉中进行,在碳化硅的表面形成外延层薄膜时无法对外延层膜进行辊压,导致外延层膜的均匀性和厚度无法保证,影响碳化硅芯片的安装工作的问题,其包括底板,底板的顶部固定安装有外延炉,所述外延炉的两侧均连通有进气装置,所述外延炉的底部内壁上滑动安装有对称设置的两个放置台,两个放置台的顶部均放置有碳化硅板,两个放置台的底部设置有同一个驱动机构,所述外延炉的一侧内壁上设置有辊压机构。本实用新型结构紧凑,可操作性高,碳化硅板上的外延层膜更佳均匀,厚度可以满足安装需求,提供了碳化硅芯片的安装效率。

基本信息
专利标题 :
一种电子碳化硅芯片的生产设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921411436.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-28
授权号 :
CN211256152U
授权日 :
2020-08-14
发明人 :
狄志宇
申请人 :
大同新成新材料股份有限公司
申请人地址 :
山西省大同市新荣区花园屯村
代理机构 :
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
申绍中
优先权 :
CN201921411436.4
主分类号 :
C30B25/20
IPC分类号 :
C30B25/20  C30B25/16  C30B25/14  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
C30B25/20
与外延层材料相同的衬底
法律状态
2020-08-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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