一种谐振器晶片镀膜装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种谐振器晶片镀膜装置，目的是解决现有谐振器晶片镀膜装置镀膜不均匀的技术问题。所采用的技术方案是：一种谐振器晶片镀膜装置，包括真空室，所述真空室的一侧设置取料口、并适配密封盖板；所述真空室的内壁设置环形的输送链，所述输送链上设置用于夹持石英晶片的夹持件、且石英晶片位于水平段时处于平放状态；所述输送链的环内设有横隔板，所述横隔板将输送链分隔成上方的第一蒸镀工位和下方的第二蒸镀工位；所述输送链适配有动力源；所述第一蒸镀工位和第二蒸镀工位的下方分别设置一套蒸镀机构，所述蒸镀机构包括沿输送链的输送方向依次设置的镀铬蒸发源和镀银蒸发源。
基本信息
专利标题 ：
一种谐振器晶片镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921525418.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-09
授权号 ：
CN210529039U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
刘青彦黄建友杨清明
申请人 ：
成都晶宝时频技术股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区西部园区百叶路8号
代理机构 ：
成都欣圣知识产权代理有限公司
代理人 ：
王淇
优先权 ：
CN201921525418.9
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/18 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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