本实用新型涉及一种晶片镀膜装置，晶体制备技术领域。解决的是现有的晶片镀膜后转移加热过程中易被污染的问题。包括真空壳体、旋转真空装置、加热器和雾化喷嘴，真空壳体的顶部安装有雾化喷嘴，真空壳体的侧壁上均布有加热器，真空壳体下侧安装有旋转真空装置，旋转真空装置包括旋转托盘、外部支撑轴和真空管，旋转托盘与外部支撑轴连接，真空管安装在外部支撑轴侧面，外部支撑轴上加工有真空通道，旋转托盘圆心位置加工有通孔，通孔通过真空通道与真空管连通。箱体内部四周分布的加热器可直接进行加热，对光刻胶进行坚膜，无需进行移动，避免了镀膜后转移过程中发生污染，保证对晶片高质量镀膜。