一种半导体镀膜用晶片防护装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体镀膜用晶片防护装置，主要解决现有半导体镀膜时，对晶片的非镀膜区进行防护时，导致晶片受热形变出现受损的问题。该晶片防护装置包括与镀膜设备内的样品台固定连接的绝热盘，以及与绝热盘固定连接的伸缩式的晶片圆周卡套；所述绝热盘包括与样品台固定连接的基础层，设置于基础层下方的真空腔，设置于真空腔下方的热交换腔，以及设置于热交换腔内的冷却水循环管道；其中，所述晶片圆周卡套与热交换腔的下表面固定连接。通过上述设计，本实用新型的晶片防护放置能够有效的对晶片的外圆周的非镀膜区进行遮挡，同时还能避免晶片受热膨胀受损，提高成品率。因此，适于推广应用。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体镀膜用晶片防护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020746942.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-08
授权号 ：
CN212152428U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
谢岱宏
申请人 ：
四川科尔威光电科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区世纪城南路599号天府软件园D6栋505号
代理机构 ：
成都慕川专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨艳
优先权 ：
CN202020746942.5
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/04 C23C14/50 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212152428U.PDF
PDF下载
