焊盘结构及半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种焊盘结构及半导体器件。所述焊盘结构包括：焊盘本体，包括相对分布的上表面和下表面，所述下表面用于与芯片的内部电路电连接；沟槽，自所述上表面向所述焊盘本体的内部延伸，将所述焊盘本体分隔为测试区域和焊接区域；保护层，至少覆盖于所述沟槽的底壁。本实用新型分隔了测试区域与焊接区域，避免了因探针测试而导致的封装连线易失败的问题，同时避免了外界环境对所述测试区域与所述焊接区域之间的芯片的损伤，提高了半导体器件的良率和性能稳定性。
基本信息
专利标题 ：
焊盘结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921673256.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210272339U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921673256.3
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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