焊盘结构和半导体器件

授权

摘要

本实用新型提供一种焊盘结构和半导体器件，所述焊盘结构包括底部金属层，包括若干分离的导电区；中部金属层，形成于所述底部金属层上，所述中部金属层与所述底部金属层之间通过中间导电通孔连接；顶部金属层，形成于所述中部金属层上，所述中部金属层与所述顶部金属层之间通过顶部导电通孔连接；顶部绝缘层，设置于所述顶部金属层上，所述顶部绝缘层内开设有显露出所述顶部金属层的上表面的焊盘开口；其中，所述顶部金属层的面积大于所述中部金属层的面积，所述焊盘开口于所述中部金属层所在平面上的投影包围所述中部金属层。本实用新型的焊盘结构，可应用于高速芯片封装PAD结构，可以同时兼顾寄生效应和可靠性。

基本信息

专利标题：

焊盘结构和半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922460853.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-31

授权号：

CN211555866U

授权日：

2020-09-22

发明人：

刘森向可强刘盛富刘筱伟杨超

申请人：

微龛（广州）半导体有限公司

申请人地址：

广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

陈敏

优先权：

CN201922460853.4

主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/485 H01L21/768 H01L23/31 H01L23/48