沉降式发光二极管
授权
摘要
本实用新型公开了沉降式发光二极管，包括罩壳、卡接座、端盖、阴极端子和阳极端子；罩壳：所述罩壳的下端一侧设有填充管，罩壳的内腔上端设有透光层；卡接座：所述卡接座包括座板，所述座板为圆柱体薄板，座板的中心设有中孔，座板的曲面设有卡槽；端盖：所述端盖为环形盖板，端盖处在座板和透光层之间；阴极端子：所述阴极端子穿过中孔，且阴极端子的中部穿过中孔，阴极端子的上表面设有LED芯片组；阴极端子的上端固定有反光碗，且LED芯片组处在反光碗内侧，本沉降式发光二极管，结构简单，有利于端子的快速装夹和固定，稳定性强，不易漏光和松动，提高了发光二极管的加工效率和质量。
基本信息
专利标题 ：
沉降式发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921702842.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN210489641U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
陈明裕
申请人 ：
深圳市易邦裕光电有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道铁岗水库路180号卓越大厦8楼
代理机构 ：
深圳迈辽知识产权代理有限公司
代理人 ：
赖耀华
优先权 ：
CN201921702842.6
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/54
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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