一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉,属于单晶炉领域,一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉,包括底座,所述底座内底壁固定安装有若干导向柱,使用时,首先将单晶炉支架放置于底座上方,底座用于对单晶炉小幅度晃动减震,然后将减震弹簧均匀固定于炉体减震架内壁四周,将减震筒固定于减震弹簧远离炉体减震架一侧,随后将减震弹簧固定于减震筒内壁四周,接着将弧形板固定于减震弹簧远离减震筒一侧,将炉体减震架固定于单晶炉支架上方与主炉室外侧,之后将固定杆固定于底座左右两侧,张开固定杆前后两侧的支撑架,最后将伸缩杆调整到合适高度后使用管卡固定主炉室顶部的副炉室。

基本信息
专利标题 :
一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921723116.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-15
授权号 :
CN211036176U
授权日 :
2020-07-17
发明人 :
王金凤
申请人 :
王金凤
申请人地址 :
安徽省蚌埠市蚌山区延安南路386号琥珀新天地和苑10幢1单元1203号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921723116.2
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-03-12 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/00
登记生效日 : 20210302
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 王金凤
变更后权利人 : 保定天翊光伏科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 233000 安徽省蚌埠市蚌山区延安南路386号琥珀新天地和苑10幢1单元1203号
变更后权利人 : 071000 河北省保定市北二环路5699号大学科技园5号楼302-1
2020-07-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332