一种内部含水道槽的背板及靶材
授权
摘要
本实用新型公开了属于半导体靶材溅射技术领域的一种内部含水道槽的背板及靶材。本实用新型提供的背板包括底板和盖板，所述水道槽密封于底板和盖板之间；所述水道槽为设置在底板上、围绕底板中心并折叠延伸形成2圈水路的凹槽结构；本实用新型提供的靶材包括靶坯和与靶坯结合使用的内部含水道槽的背板。本实用新型提供的背板能有效降低溅射过程中产生的高温，且底面为平面，不易发生变形，重复使用次数可达10次以上。
基本信息
专利标题 ：
一种内部含水道槽的背板及靶材
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921774694.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN211689221U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
王绍帅薛宏宇李玉鹏田志东张又麒董泽坤夏乾坤陈明
申请人 ：
有研亿金新材料有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区超前路33号
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈波
优先权 ：
CN201921774694.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C22F1/08 B23P15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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