一种便于散热的功率MOS模块结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种便于散热的功率MOS模块结构。包括DBC板，所述DBC板包括DBC陶瓷板，以及覆在DBC陶瓷板上下两面的上层铜箔和下层铜箔，所述DBC板的上层铜箔设置有功率MOS模块，所述功率MOS模块集成了多个MOS管，所述MOS管采用贴片工艺焊接在DBC板的上层铜箔上；所述上层铜箔上还设置有热敏电阻，并且在DBC板的一侧还引出有与热敏电阻连接两个引线端子；所述DBC陶瓷板、上层铜箔以及功率MOS模块均通过环氧树脂塑封料封有封装外壳，所述引线端子延伸出封装外壳用于连接外部电路。本实用新型散热效果好，保护MOS管不被烧坏。
基本信息
专利标题 ：
一种便于散热的功率MOS模块结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921815911.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN210325791U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
周文定
申请人 ：
成都赛力康电气有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区牧鱼二路588号内
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
许志辉
优先权 ：
CN201921815911.4
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/34 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/29
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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