用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具
授权
摘要
本实用新型提供一种用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具,包括空心支架和刚性狭缝,所述刚性狭缝由平行设置的两块矩形板限定、且所述刚性狭缝水平放置在所述空心支架上方。本实用新型的载具,由空心支架支撑刚性狭缝组成,放置在CVD炉的冷端的等离子体区域,石墨烯生长衬底平行穿过所述刚性狭缝,利用刚性狭缝的上矩形板可以有效地对冷端产生的非碳沉积物进行遮挡,提高石墨烯薄膜质量。石墨烯生长衬底水平通过刚性狭缝,可以防止生长衬底发生偏移或倾斜,得到表面生长均匀的高质量石墨烯薄膜产品。该载具结构简单,操作方便,适用于不同尺寸大小的CVD装备,解决现有石墨烯制备过程中由于衬底污染导致的石墨烯薄膜质量差的问题。
基本信息
专利标题 :
用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922054359.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-25
授权号 :
CN211112208U
授权日 :
2020-07-28
发明人 :
彭海琳王雄彪杨皓王可心曹风武钦慈刘忠范
申请人 :
北京石墨烯研究院;北京大学
申请人地址 :
北京市海淀区苏家坨镇翠湖南路13号院中关村翠湖科技园2号楼
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
李华
优先权 :
CN201922054359.8
主分类号 :
C23C16/458
IPC分类号 :
C23C16/458 C23C16/26 C23C16/505
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-07-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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