一种SIC肖特基二极管安装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种SIC肖特基二极管安装结构，包括电路板和定位螺栓，电路板上设有肖特基二极管，肖特基二极管一侧侧壁的后端连接有正极端子，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过压板、限位螺栓、限位筒、内螺纹槽以及压板的搭配使用，方便将肖特基二极管的正极端子以及负极端子与触点紧紧接触，通过限位板、螺纹槽、定位螺栓以及L型限位板的搭配使用，方便对肖特基二极管远离端子的一端进行限位，避免其因晃动的时候，导致焊接处脱落的问题；通过螺纹槽与定位螺栓的搭配使用，限位螺栓与限位筒和内螺纹槽的搭配使用，方便更换肖特基二极管，避免反复锡焊产生的高温对电路板造成伤害的问题，具有很好的实用性以及推广性。
基本信息
专利标题 ：
一种SIC肖特基二极管安装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922085820.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN212305776U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
王辉何超
申请人 ：
西安英冉半导体科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办锦业路SOHO同盟A座1005室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922085820.6
主分类号 ：
H05K1/18
IPC分类号 ：
H05K1/18 H05K1/11 H05K1/02
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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