一种肖特基二极管倒晶结构
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摘要
本实用新型公开了一种肖特基二极管倒晶结构，包括基板，所述基板的上表面贴合固定设置连接有衬底，所述衬底的上表面贴合固定连接有外延层，所述外延层的上表面贴合固定连接有顶板，所述顶板与外延层之间设置有多个P型单晶硅填充，所述基板、衬底、外延层和顶板的整体外侧包置有封装，所述衬底和外延层的整体外侧包置有陶瓷，且陶瓷贯穿至封装的外侧。本实用新型中，由外延层和衬底组成的PN结外侧包覆有陶瓷，陶瓷直接裸漏在封装的外侧，增加PN结整体散热能力，解决其自身反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大出现的热失控问题，肖特基结通过设置P型单晶硅形成有多个，可以降低整体的开启电压，并继而提高其反向击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基二极管倒晶结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022238003.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN212848417U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
张国俊
申请人 ：
无锡国电资通科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放振发八路13号
代理机构 ：
无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘咏华
优先权 ：
CN202022238003.2
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L23/367
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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