一种内管双面焊接单晶炉副炉室
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种内管双面焊接单晶炉副炉室,包括下法兰和第一外管,所述下法兰上端一侧焊接固定有第一侧立柱,且下法兰上端另一侧焊接固定有第二侧立柱,所述第一外管焊接固定于下法兰上端中部,且第一外管上端设置有活动调节组件,所述活动调节组件内部设置有卡合组件,且卡合组件上端设置有上法兰。该内管双面焊接单晶炉副炉室,将连接管与上法兰下端的第二外管先焊接固定,再将内连接管沿着连接管内侧向下移动,直到内连接管与下法兰上端的第一外管接触,可将内连接管与第一外管焊接固定,可满足上法兰和下法兰与内连接管的焊接固定,操作简便,提高生产效率,进一步节约企业成本,提高该单晶炉副炉室的实用性。
基本信息
专利标题 :
一种内管双面焊接单晶炉副炉室
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922207139.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-11
授权号 :
CN211665206U
授权日 :
2020-10-13
发明人 :
谭凌宇戴永丰谭明
申请人 :
浙江德弘机电科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张淼
优先权 :
CN201922207139.4
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-01-14 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 29/06
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江德弘机电科技有限公司
变更后 : 浙江德弘机电科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 314000 浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
变更后 : 314000 浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江德弘机电科技有限公司
变更后 : 浙江德弘机电科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 314000 浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
变更后 : 314000 浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
2020-10-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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