一种用于单晶炉的二次加料漏斗装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于单晶炉的二次加料漏斗装置，包括单晶炉体，所述单晶炉体的内侧设置有保温筒，所述单晶炉体的内部设置有加热组件，所述加热组件位于保温筒的内部位置，所述单晶炉体内底部设置有坩埚轴，所述坩埚轴的上端固定连接有石墨坩埚，所述石墨坩埚的内部设置有石英坩埚，所述单晶炉体的内顶部固定连接有导流筒，所述单晶炉体的开口端设置有安装板，所述安装板的内侧固定连接有漏斗。本实用新型结构设计合理，在气流的作用下，可加快原料向下流动的速度，也可以防止原料发生堵塞的情况，以保证原料的快速下料，方便石英坩埚的再次利用。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单晶炉的二次加料漏斗装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922295514.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-19
授权号 ：
CN211620661U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
宋生宏高生全文武何旭李德义李广岳
申请人 ：
阳光能源（青海）有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市经济技术开发区金源路
代理机构 ：
青海省专利服务中心
代理人 ：
李玉青
优先权 ：
CN201922295514.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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