一种用于单晶炉的加料装置
实质审查的生效
摘要

本发明属于单晶硅生产设备技术领域,具体公开了一种用于单晶炉的加料装置,包括:加料筒,用以储料和向单晶炉内加料,外侧壁上设有定位槽;法兰,套设于所述加料筒外侧;支撑件,固定设置于所述定位槽内;连接件,将所述法兰和所述支撑件固定相连以使所述法兰固定定位在所述加料筒上。本方案使支撑件固定定位在定位槽中,安装方便,定位稳定可靠,而且如果法兰损坏可以直接拆卸更换法兰,提高生产效率,降低成本;相比于现有利用焊接工艺来固定法兰而言,本申请利用定位槽、支撑件和连接件对法兰进行机械固定,避免环境污染,生产成本可降低约一半;而且定位槽不用进行退火、冷加工等工序,加工更加简单,可消减多项生产环节大幅度提供工作效率。

基本信息
专利标题 :
一种用于单晶炉的加料装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438583A
申请号 :
CN202111597255.7
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘军波牛照伦王三朋
申请人 :
宁晋晶兴电子材料有限公司
申请人地址 :
河北省邢台市宁晋县高新技术开发区
代理机构 :
北京市万慧达律师事务所
代理人 :
史雅琪
优先权 :
CN202111597255.7
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/02
申请日 : 20211224
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332