一种用于单晶炉的硅料加料装置
授权
摘要
本申请涉及一种用于单晶炉的硅料加料装置，其包括位移机构、固定机构和转动机构，所述转动机构转动设置在所述位移机构上，使得所述转动机构相对于水平面的倾斜角度可调节；所述固定机构滑移设置在所述转动机构上，所述固定机构固定加料筒，通过所述加料筒将硅料加料至单晶炉内。本申请具有以下效果：将固定机构滑移设置在转动机构上，使得加料筒的尺寸进一步扩大，单次投料量增加，且投料次数减少，提高了加料效率，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单晶炉的硅料加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122592706.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
CN216274460U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
董永见闫广宁李卓越
申请人 ：
宁晋晶兴电子材料有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市宁晋县高新技术开发区
代理机构 ：
北京市万慧达律师事务所
代理人 ：
史雅琪
优先权 ：
CN202122592706.X
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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