一种硅料二次加料装置及单晶炉
授权
摘要
本公开提供一种硅料二次加料装置及单晶炉，所述硅料二次加料装置包括：加料筒，所述加料筒在其轴向上具有相对的加料口和卸料口；挡板组件，所述挡板组件可移动地连接至所述卸料口处；牵拉轴，所述牵拉轴在所述轴向上位于所述加料口的一侧，并能够在所述轴向上往复运动；及牵拉绳，所述牵拉绳设置于所述加料筒外，所述牵拉绳连接至所述挡板组件和所述牵拉轴上，以在所述牵拉轴牵拉下带动所述挡板组件移动，以开启或关闭所述卸料口。本公开实施例提供了一种硅料二次加料装置及单晶炉，能够避免硅溶液污染等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种硅料二次加料装置及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123366229.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216445500U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
王森望张鹏举陈凡李腾飞
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
倪晓璇
优先权 ：
CN202123366229.1
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B15/30 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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