一种单晶炉多次加料系统及加料方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单晶炉多次加料系统及加料方法,所述加料系统包括:移动式送料单元,所述移动式送料单元包括料罐,所述料罐上端设有抽气口和进气口,所述抽气口通过气动阀一与副泵连通,所述进气口与氩气气源连通;接料单元,所述接料单元用于缓冲接收移动式送料单元传送的硅料,并将硅料传送至单晶炉内,所述接料单元可拆卸固定于单晶炉的炉盖上;加料控制系统,所述加料控制系统单晶炉PLC控制系统通讯连接,用于监控单晶炉PLC控制系统的变量以及加料控制。本发明利用真空气力输送的原理,实现单晶炉生产过程中的多次加料,实现将单晶硅棒的长度最大化,可以节约大量成本。
基本信息
专利标题 :
一种单晶炉多次加料系统及加料方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438584A
申请号 :
CN202210048483.7
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王晓明宋涛
申请人 :
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210048483.7
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/02
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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