单晶炉连续加料智能控制系统
授权
摘要

本实用新型公开一种单晶炉连续加料智能控制系统,包括第一称重器、计时器、控制器以及加料装置,控制器内部预先设定有重量值G和时间间隔T;第一称重器用于采集晶棒的重量信息,加料装置用于存储固体原料,并通过称重传输装置将附体原料添加到坩埚内,第一称重器、第二称重器、皮带传输装置的电机以及出料阀分别通过控制电路与控制器电连接。本实用新型通过对比晶棒固定时间段前后重量差,判断是否需要加料,若需要加料,则向坩埚内加料,加料重量等于上述重量差时,则停止加料,从而完成加料动作。本实用新型能够智能控制加料量,加料精确度高,能够满足晶棒生长对原料的要求,同时能够避免加料过程中在坩埚中产生飞溅。

基本信息
专利标题 :
单晶炉连续加料智能控制系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122265657.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-09-16
授权号 :
CN216473575U
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
郭晓琛乔帅帅李远田燕靖边丽媛关春洋吴亚娟
申请人 :
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202122265657.9
主分类号 :
C30B15/28
IPC分类号 :
C30B15/28  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/28
利用晶体或熔体重量变化的,例如浮称法
法律状态
2022-05-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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