一种单晶炉加料系统
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种单晶炉加料系统，所述单晶炉加料系统包括：单晶炉和加料装置，其中，单晶炉包括炉体、保温层、坩埚以及止挡件。炉体上开设有第一加料口，保温层与第一加料口相对的位置设置有第二加料口；加料装置包括输料件，输料件依次可活动穿设在第一加料口和第二加料口内。并且，第二加料口处可活动设置有用于遮挡第二加料口的止挡件，在加料装置对坩埚的加料结束后，可以将输料件从第二加料口中抽出，并且通过止挡件遮挡第二加料口，防止保温层内的热量散失，以满足单晶炉拉晶过程中的热量需求，确保拉晶过程顺利进行，提高了拉晶的效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉加料系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020245942.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN212128337U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
张永辉李侨赵阳赵鹏刘文斌任杰
申请人 ：
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
莎日娜
优先权 ：
CN202020245942.7
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
