应用于单晶炉的二次加料装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉的二次加料装置,涉及单晶炉设备技术领域,主要目的是同时兼顾加料装置的使用寿命和单晶棒的产品品质。本实用新型的主要技术方案为:应用于单晶炉的二次加料装置,包括:料筒和提拉部;所述料筒包括不锈钢外筒和碳化硅内筒,所述不锈钢外筒套接于所述碳化硅内筒轴侧,所述碳化硅内筒的上端法兰和不锈钢外筒的上端法兰之间夹持有垫环,所述不锈钢外筒的轴侧固定连接于限位盘,所述限位盘顶接于喉口;所述提拉部包括传动连杆、石英锥和支撑盘,所述传动连杆上下移动于所述碳化硅内筒中,所述传动连杆的下端连接于所述支撑盘,所述石英锥套接于所述传动连杆的下端侧,所述石英锥下端的直径大于所述碳化硅内筒的内径。

基本信息
专利标题 :
应用于单晶炉的二次加料装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021732184.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-19
授权号 :
CN212834137U
授权日 :
2021-03-30
发明人 :
张野马伟萍乔乐张晶晶
申请人 :
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 :
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县北工业园区A区
代理机构 :
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孟阿妮
优先权 :
CN202021732184.8
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2021-03-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332