IGBT功率模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT功率模块，包括至少一个IGBT芯片，所述IGBT芯片下方设置有导热基板，所述导热基板下方设有散热底板，所述散热底板中设有多个真空腔体，所述真空腔体中装有散热液体，所述真空腔体为柱状，所述多个真空腔体以阵列形式排列。本实用新型通过在散热底板中设置真空腔体，并在真空腔体中设置散热液体，IGBT芯片产生的热量传递到散热液体后，使散热液体在真空中气化，并在冷端重新液化，如此循环可以提升散热的效率，本实用新型相对于同等材质的匀质金属板具有更好的散热效果。本实用新型可以广泛应用于IGBT技术领域。
基本信息
专利标题 ：
IGBT功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922302013.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN211045424U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
周晓阳王咏闫鹏修
申请人 ：
广东芯聚能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区南沙街道南林路一巷73号之四103房
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
黎扬鹏
优先权 ：
CN201922302013.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/427 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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