一种三路反并联可控硅模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种三路反并联可控硅模块，包括底座，所述底座中部开设有内腔，所述底座的内腔安装有3组可控硅，3组可控硅采用反并联一体式封装，所述底座顶部安装有上盖，所述上盖中部共设置有3个GK电极，所述GK电极采用快速插接端子，所述上盖位于快速插接端子外侧固定有主电极。本实用新型，底座采用铜底板结构，散热性能好，安装强度高；主电极采用铜电极，过流能力强；GK电极采用标准接插件，安装方便；产品整体外形设计新颖，机械强度高，体积小，安装方便，可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
一种三路反并联可控硅模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922416834.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-29
授权号 ：
CN211125631U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
罗文华陈华军
申请人 ：
昆山晶佰源半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市陆家镇田都路9号8号房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922416834.1
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/32 H01L23/492 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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