一种高散热的单面金属基板
授权
摘要
本实用新型公开了一种高散热的单面金属基板,包括金属基层以及依次设于金属基层上的高导热介质层、第一线路层、低导热介质层和第二线路层,所述第二线路层和第一线路层中均包括第一独立线路、第二独立线路和第三独立线路,且所述第二线路层和第一线路层中的第一独立线路、第二独立线路和第三独立线路分别上下一一对应,在对应第一独立线路位置处的低导热介质层和高导热介质层上均设有用于上下连通第二线路层、第一线路层和金属基层三者的第一填充导通层,在对应第二独立线路位置处的低导热介质层上设有用于上下连通第一线路层和第二线路层的第二填充导通层。本实用新型结构可实现超高导热线路、高导热线路以及低导热线路的分离及共同存在。
基本信息
专利标题 :
一种高散热的单面金属基板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922493364.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-31
授权号 :
CN211240280U
授权日 :
2020-08-11
发明人 :
官华章邓卫林何小国
申请人 :
四会富仕电子科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省肇庆市四会下茆镇电子产业基地2号
代理机构 :
深圳市精英专利事务所
代理人 :
巫苑明
优先权 :
CN201922493364.9
主分类号 :
H05K1/02
IPC分类号 :
H05K1/02 H05K7/20
法律状态
2020-08-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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CN211240280U.PDF
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