用于显示封装应用的高密度等离子体CVD
实质审查的生效
摘要
本公开内容的实施方式大体涉及应用于有机发光二极管装置中的湿气阻挡膜。一种湿气阻挡膜在小于约250摄氏度的温度、约2MHz至约13.56MHz的感应耦合等离子体功率频率或约2.45GHz的微波功率频率、和约1011cm3至约1012cm3的等离子体密度下于高密度等离子体化学气相沉积腔室中沉积。所述湿气阻挡膜包括选自由氮氧化硅、氮化硅、和氧化硅所组成的组的材料。湿气阻挡膜具有小于约3,000埃的厚度、约1.45与1.95之间的折射率、和在UV波长下的约零的吸收系数。所述湿气阻挡膜可用于薄膜封装结构或薄膜晶体管中。
基本信息
专利标题 ：
用于显示封装应用的高密度等离子体CVD
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365263A
申请号 ：
CN201980100218.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2019-09-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
元泰景崔寿永任东吉李永东吴宗凯桑杰·D·亚达夫
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201980100218.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L51/56 H01L51/52 H01L51/00 C23C16/455 G02F1/13 H05H1/46 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190910
申请日 : 20190910
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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