一种晶圆及光掩膜版
授权
摘要
本申请公开了一种晶圆及光掩膜版，晶圆包括晶圆本体、设置在晶圆本体上且经过光掩膜版曝光后形成的多个芯片阵列，其中：相邻两个芯片阵列之间设置有划片槽；每个芯片阵列中设置有多个微型半导体芯片，且相邻两个微型半导体芯片之间设置有切割道；切割道的宽度小于划片槽的宽度，且切割道的宽度等于或大于用于对晶圆进行切割的晶圆切割设备能够切割的最小宽度。本申请公开的上述技术方案，在相邻两个芯片阵列之间设置切割道，并在每个芯片阵列中的相邻两个微型半导体芯片之间设置宽度小于划片槽的宽度且等于或大于晶圆切割设备能够切割的最小宽度的切割道，以提高晶圆的可用区域的面积，从而提高晶圆中微型半导体芯片的产出率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆及光掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113224034A
申请号 ：
CN202010071690.5
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2020-01-21
授权号 ：
CN113224034B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
赖胜裕尤宏昇
申请人 ：
厦门凌阳华芯科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市湖里区火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼203-91
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
田媛媛
优先权 ：
CN202010071690.5
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 G03F1/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20200121
申请日 : 20200121
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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