一种降低晶圆应力的屏蔽栅沟槽MOSFET的掩膜版
授权
摘要
本实用新型涉及一种降低晶圆应力的屏蔽栅沟槽MOSFET的掩膜版，所述掩膜版包含由不同走向沟槽的芯片组成的芯片矩阵；所述芯片矩阵内包含两种芯片，其芯片尺寸面积和设计相同，仅沟槽走向不同，两者的沟槽走向相互垂直。本实用新型将晶圆生产中产生的应力通过不同图形的排布相互抵消，实现较少减薄至200微米以下时，晶圆水平方向的翘曲度，便于后续的晶圆封装和晶圆测试的自动化作业，减少碎片引入的损失和沾污。
基本信息
专利标题 ：
一种降低晶圆应力的屏蔽栅沟槽MOSFET的掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020766860.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-11
授权号 ：
CN212209483U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
陈桥梁刘挺王新楼颖颖杨乐
申请人 ：
龙腾半导体股份有限公司;旭矽半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区
代理机构 ：
西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李罡
优先权 ：
CN202020766860.7
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L29/78 H01L21/336 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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