保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法及半导体装置
授权
摘要
本发明提供了一种保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法及半导体装置，使得关于运作信息的逆向工程变得困难。本发明以防范逆向工程的保护方法，生成正常运作时的期望值(S100)；监视半导体集成电路的监视地点P1、P2的电压波形(S102)；对监视的电压波形当中生成的测定值，与期望值进行比较(S104)；基于比较结果判定是否有逆向工程(S106)；以及判定为有逆向工程的情况下，使半导体集成电路执行异于正常运作的保护模式(S108)。
基本信息
专利标题 ：
保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111610425A
申请号 ：
CN202010099528.4
公开（公告）日 ：
2020-09-01
申请日 ：
2020-02-18
授权号 ：
CN111610425B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
村上洋树
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵平
优先权 ：
CN202010099528.4
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01R19/00 G11C29/50
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-09-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20200218
申请日 : 20200218
2020-09-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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