一种用于生产碳化硅晶体的原料及其制备方法与应用

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摘要

本申请公开了一种用于生产碳化硅晶体的原料及其制备方法与应用。所述原料为中空球状碳化硅粉料。所述方法通过水热法，利用有机碳源作为模板剂对碳化硅粉料进行优化，水热反应可以使碳化硅颗粒进一步细化，随后堆叠吸附在碳球模板上，从而减小粉料颗粒尺寸，通过形成中空纳米球状颗粒增大其比表面积，进而增大受热面积，保证粉体充分升华和升华的均匀性。本发明有利于提高生产碳化硅晶体中碳化硅合成粉料的利用率，提高碳化硅晶体的合成质量。

基本信息

专利标题：

一种用于生产碳化硅晶体的原料及其制备方法与应用

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN111392728A

申请号：

CN202010129133.4

公开（公告）日：

2020-07-10

申请日：

2020-02-28

授权号：

CN111392728B

授权日：

2022-04-08

发明人：

张九阳许晓林杨晓俐李磊磊高超徐兴超

申请人：

山东天岳先进材料科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市槐荫区天岳南路99号

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王振南

优先权：

CN202010129133.4

主分类号：

C01B32/956

IPC分类号：

C01B32/956 C04B35/565 C04B35/622 C30B23/00 C30B29/36 B01J20/02 B01J20/30 A61K47/04