应用于原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法

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摘要

公开了一种应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法。本申请实施例中，应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法包括：将样品与原位芯片放入聚焦离子束仪器中；清扫所述样品的接触面表面沉积的Pt污染之后，将所述样品和所述原位芯片焊接；使用离子束清扫样品的除焊接部分以外的暴露的表面区域，制备负载有样品的原位芯片；清除所述负载有样品的原位芯片上的Pt污染。本申请实施例利用简单有效的方法降低了原位芯片的漏电流，为更实用、广泛的芯片式原位透射电镜的应用提供了可能。

基本信息

专利标题：

应用于原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113358676A

申请号：

CN202010137511.3

公开（公告）日：

2021-09-07

申请日：

2020-03-03

授权号：

CN113358676B

授权日：

2022-06-07

发明人：

刘效治时金安张庆华谷林

申请人：

中国科学院物理研究所

申请人地址：

北京市海淀区中关村南三街8号

代理机构：

北京市正见永申律师事务所

代理人：

黄小临

优先权：

CN202010137511.3

主分类号：

G01N23/20025

IPC分类号：

G01N23/20025 G01N23/2005 G01N23/20008