一种提高电镀凸块高度均匀性的方法
授权
摘要
本发明公开了一种提高电镀凸块高度均匀性的方法,应用于凸块开口小于高度的产品,包括:提供多个试验晶圆,依次对试验晶圆涂覆不同厚度光刻胶、然后进行曝光和显影;对每个晶圆进行电镀,并获得电镀凸块的第一高度信息;电镀凸块的高度均匀性最好的试验晶圆所对应的胶厚为预设胶厚;提供试验晶圆,根据预设胶厚进行电镀凸块操作,获取电镀凸块的第二高度信息;判断电镀凸块的高度均匀性是否超过预设值;若是,则定义晶圆中电镀凸块高度均匀性超过预设值的区域为待优化区域,并对待优化区域所对应的电力线挡板区域进行改造,直到电镀凸块高度均匀性不超过预设值,本发明通过对胶厚和电力线挡板改造能提高电镀凸块均匀性效果,提升产品的良率。
基本信息
专利标题 :
一种提高电镀凸块高度均匀性的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111883449A
申请号 :
CN202010560453.5
公开(公告)日 :
2020-11-03
申请日 :
2020-06-18
授权号 :
CN111883449B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
方梁洪刘凤李春阳刘明明彭祎梁于壕
申请人 :
宁波芯健半导体有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
郝传鑫
优先权 :
CN202010560453.5
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66 H01L21/60 C25D7/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-15 :
授权
2020-11-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200618
申请日 : 20200618
2020-11-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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