一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置。氧化物薄膜晶体管包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率；所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第二金属氧化物层覆盖所述第一金属氧化物层的所述侧面。本公开实施例能够提高氧化物薄膜晶体管有源层的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420762A
申请号 ：
CN202011170073.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王利忠周天民胡合合许晓春姚念琦薛大鹏董水浪
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄灿
优先权 ：
CN202011170073.7
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L21/34
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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