一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置,所述方法包括:通过一个射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率,点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体;发送射频功率源的输出功率信号和反射功率信号到一个控制器,控制器根据所述输出功率信号的和反射功率信号的比值确定是否进入射频功率稳定输出区间;在射频功率稳定输出区间内,通过控制器计算获取反射功率信号的平均值、反射功率信号的最大值;并将反射功率信号的平均值和反射功率信号的最大值进行比较获得一个比值,比值小于一个预设阈值时判定发生弧光放电。本发明实现了快速检测到有真空反应腔内电弧中的微弧,以便及时得知对应的晶圆的缺陷状态的目的。

基本信息
专利标题 :
一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446752A
申请号 :
CN202011215442.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-11-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘依徐蕾饭塚浩倪图强
申请人 :
中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
代理机构 :
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 :
徐雯琼
优先权 :
CN202011215442.X
主分类号 :
H01J37/32
IPC分类号 :
H01J37/32  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20201104
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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