一种中心环、输送结构以及半导体设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种中心环、输送结构以及半导体设备，中心环的外环端表面设置有第一密封槽，用于安装第一O型密封圈，且中心环内分布有真空空腔。将该中心环安装在输送结构中第一管道和第二管道之间的连接端口处，能够有效地避免输送的流体在流经管道连接部分时发生温度变化，有利于保持所输送的流体的温度。进一步，将该输送结构应用于半导体设备，作为半导体设备的废气排放管道，能够有效地抑制高温废气在管道连接处由于热损形成粉末导致管道堵塞。
基本信息
专利标题 ：
一种中心环、输送结构以及半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496835A
申请号 ：
CN202011254106.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
边大一白国斌高建峰王桂磊田光辉丁云凌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011254106.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
