喷头组件与原子层沉积设备
授权
摘要
本发明公开一种喷头组件与原子层沉积设备。所述原子层沉积设备的喷头组件用以喷洒反应前驱物至基板载台所承载的基板上，以实现原子层沉积制程。所述喷头组件包括第一梯形柱体部件、第二梯形柱体部件与柱体部件，第一梯形柱体部件透过其第一底边与第二梯形柱体部件的第二顶边彼此连接，以及第二梯形柱体部件的第二底边与柱体部件的柱体顶边彼此连接。所述第一梯形柱体部件具有第一底边尺径距离，第二梯形柱体部件具有第二垂直距离，以及柱体部件具有柱体垂直距离，柱体垂直距离与第二垂直距离的比值为大于或等于1.2，以及第二垂直距离与柱体垂直距离的加总小于第一底边尺径距离。透过上述设计，所述喷头组件改善反应前驱物喷洒到基板的均匀度。
基本信息
专利标题 ：
喷头组件与原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112626496A
申请号 ：
CN202011329325.6
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
CN112626496B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
林俊成易锦良许雲齐
申请人 ：
鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202011329325.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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