一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明小籽晶块与大籽晶块接缝处形成的功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，降低多晶占比，将大籽晶块设计成长条形，减少籽晶接缝，减少了硅片的位错缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540953A
申请号 ：
CN202011363122.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许志
申请人 ：
福建新峰二维材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011363122.9
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B11/14 C30B28/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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