存储元件的失效模式分析方法
公开
摘要
一种存储元件的失效模式分析方法，包括：利用检测系统来扫描晶圆，以产生所述晶圆的失效图形，并利用检测程序来取得所述晶圆中的单比特位的失效数量；依据字线布局、位线布局以及有源区布局定义出单比特位的分组表；对自对准双重图案化工艺中的至少一工艺分类出核心群组与空隙群组；以及分别统计所述核心群组与所述空隙群组中的单比特位的失效数量，以产生核心失效信息与空隙失效信息。
基本信息
专利标题 ：
存储元件的失效模式分析方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613688A
申请号 ：
CN202011395770.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何宇峰廖国闵林钰珮
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱颖
优先权 ：
CN202011395770.2
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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