一种厚铜蚀刻组合物及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体晶圆封装领域，特别涉及湿法蚀刻过程中使用的双氧水体系铜蚀刻组合物，尤其涉及一种厚铜蚀刻组合物及其应用。一种厚铜蚀刻组合物，按重量百分比计，至少包括1‑20wt％的组分A、1‑30wt％的组分B以及组分C；所述组分A为氧化剂；所述组分B为无机酸和/或有机酸；所述组分C为去离子水。本发明提供的蚀刻组合物具有稳定性强、蚀刻寿命长、跑片量多的优点，有效提升了蚀刻组合物的利用率，且能够选择性的仅对铜进行蚀刻；此外，该蚀刻组合物还具有极低的侧蚀量、良好的蚀刻选择比、极佳的蚀刻均一性、较高的蚀刻稳定性、较高的蚀刻速率稳定性、较长的使用寿命等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种厚铜蚀刻组合物及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540816A
申请号 ：
CN202011539539.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡杭剑高晓义
申请人 ：
上海飞凯材料科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区潘泾路2999号
代理机构 ：
上海微策知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤俊明
优先权 ：
CN202011539539.6
主分类号 ：
C23F1/18
IPC分类号 ：
C23F1/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/14
含水组合物
C23F1/16
酸性组合物
C23F1/18
蚀刻铜或铜合金用的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23F 1/18
申请日 : 20201223
申请日 : 20201223
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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