半导体组件及其形成方法
公开
摘要
本公开涉及半导体组件及其形成方法。一种形成半导体组件的方法包括：在基板上形成闸极结构；分别在该闸极结构的相对侧壁上形成第一闸极间隔物及第二闸极间隔物；在该基板中植入第一导电类型的第一掺杂物，以形成邻接该第一闸极间隔物的轻掺杂源极区、以及邻接该第二闸极间隔物的轻掺杂汲极区；在该轻掺杂汲极区的第一部分上形成图案化屏蔽，并留下该轻掺杂汲极区的第二部分为暴露的；以及在该图案化屏蔽存在时，在该基板中植入该第一导电类型的第二掺杂物，使得该轻掺杂汲极区的该第二部分转变为汲极区。
基本信息
专利标题 ：
半导体组件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496923A
申请号 ：
CN202011548021.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩峰黄剑桂林春陈忠浩
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202011548021.9
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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