半导体组件及其形成方法
公开
摘要
本发明实施例提供一种半导体组件及其形成方法。一种半导体组件包括：重布线结构；集成电路封装，贴合到重布线结构的第一侧；以及芯体衬底，利用第一导电连接件及第二导电连接件耦合到重布线结构的第二侧。第二侧与第一侧相对。半导体组件还包括：包含介电材料的芯体衬底的顶部层以及设置在重布线结构与芯体衬底之间的芯片。芯片夹置在介电材料的侧壁之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体组件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628363A
申请号 ：
CN202210169751.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴俊毅余振华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202210169751.0
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L23/16 H01L25/065 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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