一种碲化锑光电探测器件及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种碲化锑光电探测器件及其制备方法，方法包括：在衬底上蒸镀Sb2Te3薄膜生长的催化层；在具有催化层的衬底上蒸镀Sb2Te3薄膜；对Sb2Te3薄膜进行退火处理；在完成退火处理的Sb2Te3薄膜上蒸镀第一有机材料形成增强吸收层，形成衬底材料/Sb2Te3/第一有机材料异质结；在异质结两端制备电极得到碲化锑光电探测器件或线列，在可见光‑近红外波段的吸收明显提高并拥有较高的电子迁移率。本方法相比于化学气相沉积法(CVD)、分子束外延(MBE)、磁控溅射等镀膜方法，制备周期短，操作简单且制备的探测器性能优异，对新型低维材料、拓扑绝缘体光电探测器的研究提供了参考和理论实践依据。
基本信息
专利标题 ：
一种碲化锑光电探测器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112687809A
申请号 ：
CN202011591766.3
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112687809B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
周泓希王军刘澍锴刘贤超匡云帆张兴超张超毅苟君
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张巨箭
优先权 ：
CN202011591766.3
主分类号 ：
H01L51/48
IPC分类号 ：
H01L51/48 H01L51/42
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/48
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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