半导体封装防磁结构

授权

摘要

一种半导体封装防磁结构，其特征在于，包含:基板、第一芯片、第一导线、胶层、第二芯片、金属薄膜与第二导线，其中基板具有上表面和下表面以及多个贯穿上表面及下表面的电连接结构，同时在上表面及下表面之间具有一个窗口。第一芯片设有主动面及背面，主动面朝下设置在基板的上表面上，同时第一芯片的部分主动面暴露于窗口中，暴露于窗口的部分主动面与基板的电连接结构电性连接，同时第一导线通过暴露于窗口的部分将主动面与基板的下表面电性连接。接着，胶层设置于第一芯片的背面上，然后第二芯片设置在胶层上，藉由胶层使第二芯片固定在第一芯片的背面上。金属薄膜设置于第二芯片上，以及第二导线同时电性连接金属薄膜的上表面及基板的上表面上。

基本信息

专利标题：

半导体封装防磁结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020004724.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-02

授权号：

CN212277193U

授权日：

2021-01-01

发明人：

姜颖宏林煜能陈政宏

申请人：

福懋科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾云林县斗六市榴中里河南街329号

代理机构：

上海申新律师事务所

代理人：

董科

优先权：

CN202020004724.4

主分类号：

H01L23/552

IPC分类号：

H01L23/552 H01L25/18 H01L23/31