半导体封装结构
实质审查的生效
摘要
本公开提供的半导体封装结构，将电源线路由基板侧面引导至位于电子元件外部的金属层(例如电磁屏蔽层或金属基印刷电路板(Metal‑Core Printed Circuit Boards，MCPCB)内的线路层)传递，再由电子元件的背面上的电连接件(或电子元件中的硅通孔(Through Silicon Via，TSV))传递至电子元件，以提供电子元件运行所需的电能。而信号仍然从电子元件的主动面上的电连接件传递，由此电源不会干扰信号影响信号质量。与此同时，电源运作所产生的热量可直接通过金属层导热并散逸至空气中，避免电源运作所产生的热量在半导体封装结构中影响电子元件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420651A
申请号 ：
CN202210037422.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘柏志郭宏钧李长祺
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
北京植德律师事务所
代理人 ：
唐华东
优先权 ：
CN202210037422.0
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/552 H01L23/367 H01L23/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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