一种加快大尺寸单晶降温的副室装置
授权
摘要
本实用新型提供一种加快大尺寸单晶降温的副室装置，包括副室、内管，所述副室设置于主室上，用于拉制大尺寸单晶硅棒；所述内管与所述副室均为圆筒结构；所述内管设置于所述副室上，并中心同轴。本实用新型涉及的加快大尺寸单晶降温的副室装置，通过在副室内增设带有氩气口的内管，增大了氩气与大尺寸单晶硅棒表面的接触面积，便于大尺寸单晶硅棒的快速散热降温，节约时间，提高生产效率；且有效地降低了大尺寸单晶硅棒直径较粗热应力大而导致的隔离后单晶发红和炸裂的可能性，减少位错。该副室装置材质一致，结构简单，维修方便，加工成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种加快大尺寸单晶降温的副室装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020093453.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-16
授权号 ：
CN212175074U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
宋瑞强张文霞郭志荣钟旭李晓东康学兵赵志远王胜利韩凯
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202020093453.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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